V30200C-E3/4W Vishay
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V30200C-E3/4W Vishay
MERKMALE • Trench-MOS-Schottky-Technologie • Geringer Durchlassspannungsabfall, geringe Leistungsverluste • Betrieb mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand • Erfüllt MSL Level 1, gemäß J-STD-020, LF-Spitzenwert von 245 °C (für TO-263AB-Gehäuse) • Lötbadtemperatur maximal 275 °C, 10 s, gemäß JESD 22-B106 (für TO-220AB-, ITO-220AB- und TO-262AA-Gehäuse)
MERKMALE • Trench-MOS-Schottky-Technologie • Geringer Durchlassspannungsabfall, geringe Leistungsverluste • Betrieb mit hohem Wirkungsgrad • Niedriger Wärmewiderstand • Erfüllt MSL Level 1, gemäß J-STD-020, LF-Spitzenwert von 245 °C (für TO-263AB-Gehäuse) • Lötbadtemperatur maximal 275 °C, 10 s, gemäß JESD 22-B106 (für TO-220AB-, ITO-220AB- und TO-262AA-Gehäuse)
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