TLV271SN1T1G AUF
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TLV271SN1T1G AUF
• Schiene-zu-Schiene-Ausgang
• Große Bandbreite: 3 MHz
• Hohe Anstiegsrate: 2,4 V/s
• Großer Versorgungsbereich: 2,7 V bis 16 V (TLV271),
36 V (TLV/NCV272/274)
• Niedriger Versorgungsstrom: 550 A
• Niedriger Eingangsbias-Strom: 45 pA
• Großer Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C
• TSOP−5-, Micro−8-, SOIC−8-, SOIC−14- und TSSOP−14-Gehäuse
• NCV-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die
Einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen; AEC-Q100
Qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Gefällig
• Schiene-zu-Schiene-Ausgang
• Große Bandbreite: 3 MHz
• Hohe Anstiegsrate: 2,4 V/s
• Großer Versorgungsbereich: 2,7 V bis 16 V (TLV271),
36 V (TLV/NCV272/274)
• Niedriger Versorgungsstrom: 550 A
• Niedriger Eingangsbias-Strom: 45 pA
• Großer Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C
• TSOP−5-, Micro−8-, SOIC−8-, SOIC−14- und TSSOP−14-Gehäuse
• NCV-Präfix für die Automobilindustrie und andere Anwendungen, die
Einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen; AEC-Q100
Qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Gefällig
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