TLV170IDBVR TI
| Verfügbar |
TLV170IDBVR TI
• Versorgungsbereich: 2,7 V bis 36 V, ±1,35 V bis ±18 V
• Geringes Rauschen: 22 nV/√Hz
• EMI-gehärtet mit RFI-gefilterten Eingängen
• Der Eingangsbereich umfasst die negative Versorgung
• Unity-Gain stabil: 200 pF kapazitive Last
• Schiene-zu-Schiene-Ausgang
• Verstärkungsbandbreite: 1,2 MHz
• Niedriger Ruhestrom: 125 μA pro Verstärker
• Hohe Gleichtaktunterdrückung: 110 dB
• Niedriger Bias-Strom: 10 pA (typisch)
• Versorgungsbereich: 2,7 V bis 36 V, ±1,35 V bis ±18 V
• Geringes Rauschen: 22 nV/√Hz
• EMI-gehärtet mit RFI-gefilterten Eingängen
• Der Eingangsbereich umfasst die negative Versorgung
• Unity-Gain stabil: 200 pF kapazitive Last
• Schiene-zu-Schiene-Ausgang
• Verstärkungsbandbreite: 1,2 MHz
• Niedriger Ruhestrom: 125 μA pro Verstärker
• Hohe Gleichtaktunterdrückung: 110 dB
• Niedriger Bias-Strom: 10 pA (typisch)
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