SZBZX84C4V7LT1G AUF
| Verfügbar |
SZBZX84C4V7LT1G AUF
• 250 mW Nennleistung auf FR−4- oder FR−5-Platine
• Zenerdurchbruchspannungsbereich – 2,4 V bis 75 V • Gehäuse für optimale automatisierte Leiterplattenbestückung • Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte • ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 kV) pro menschlichem Körpermodell • Serien mit engen Toleranzen verfügbar (siehe Seite 4) • SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig • Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
• 250 mW Nennleistung auf FR−4- oder FR−5-Platine
• Zenerdurchbruchspannungsbereich – 2,4 V bis 75 V • Gehäuse für optimale automatisierte Leiterplattenbestückung • Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte • ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 kV) pro menschlichem Körpermodell • Serien mit engen Toleranzen verfügbar (siehe Seite 4) • SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig • Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
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