SZBZX84B5V6LT1G AUF
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SZBZX84B5V6LT1G AUF
• 250 mW Nennleistung auf FR−4- oder FR−5-Platine
• Zener-Durchbruchspannungsbereich − 2,4 V bis 75 V
• Gehäuse für eine optimale automatisierte Leiterplattenbestückung
• Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte
• ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 kV) pro Modell des menschlichen Körpers
• Serien mit engen Toleranzen verfügbar (siehe Seite 4)
• SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
• 250 mW Nennleistung auf FR−4- oder FR−5-Platine
• Zener-Durchbruchspannungsbereich − 2,4 V bis 75 V
• Gehäuse für eine optimale automatisierte Leiterplattenbestückung
• Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte
• ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 kV) pro Modell des menschlichen Körpers
• Serien mit engen Toleranzen verfügbar (siehe Seite 4)
• SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
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