SI7210-B-00-IVR SILIZIUM
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SI7210-B-00-IVR SILIZIUM
• Hochempfindlicher Hall-Effekt-Sensor
• Einstellbarer Skalenendwert (Standardangebote sind ±20 mT und ±200 mT Skalenendwert)
• Integrierte digitale Signalverarbeitung zur Kompensation von Temperatur- und Offset-Drift
• Hochpräziser 13-Bit-Signalweg
• Ausgangsbandbreite bis zu 20 kHz
• Empfindlichkeitsdrift < ±5% over 0-70 °C
• Digitale I2C-Schnittstelle
• Vier wählbare I2C-Adressen
• Optionaler digitaler Alarmausgang
• Breite 1,7 bis 5,5 V Versorgungsspannung
• Temperatursensordaten auch über I2C verfügbar (Genauigkeit ±1 °C)
• Geringer Stromverbrauch von 50 nA im Schlafmodus
• Verpackung nach Industriestandard
• Oberflächenmontierbarer SOT23-5
• 1,4 x 1,6 mm 8-poliges DFN-Gehäuse
• Hochempfindlicher Hall-Effekt-Sensor
• Einstellbarer Skalenendwert (Standardangebote sind ±20 mT und ±200 mT Skalenendwert)
• Integrierte digitale Signalverarbeitung zur Kompensation von Temperatur- und Offset-Drift
• Hochpräziser 13-Bit-Signalweg
• Ausgangsbandbreite bis zu 20 kHz
• Empfindlichkeitsdrift < ±5% over 0-70 °C
• Digitale I2C-Schnittstelle
• Vier wählbare I2C-Adressen
• Optionaler digitaler Alarmausgang
• Breite 1,7 bis 5,5 V Versorgungsspannung
• Temperatursensordaten auch über I2C verfügbar (Genauigkeit ±1 °C)
• Geringer Stromverbrauch von 50 nA im Schlafmodus
• Verpackung nach Industriestandard
• Oberflächenmontierbarer SOT23-5
• 1,4 x 1,6 mm 8-poliges DFN-Gehäuse
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