REF3112AQDBZRQ1 TI
| Verfügbar |
REF3112AQDBZRQ1 TI
• AEC-Q100-qualifiziert mit den folgenden Ergebnissen:
– TA-Bereich des Geräts: –40 °C bis 125 °C
– Gerät HBM ESD-Klassifizierung Stufe H1C
– Gerät CDM ESD-Klassifizierung Stufe C4A
• Hohe Genauigkeit: maximal 0,2 %
• Hervorragende spezifizierte Driftleistung:
– 20 ppm/°C (maximal) von –40 °C bis +125 °C
• Hoher Ausgangsstrom: ±10 mA
• Geringer Dropout: 5 mV
• Niedriger IQ: maximal 115 μA
• Geringes Rauschen: 17 μVp-p/V
• Kein Ausgangskondensator erforderlich
• Verfügbare Spannungsoptionen : 1,2 V, 2 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V, 4 V
• MicroSize-Gehäuse: 3-poliger SOT-23
• AEC-Q100-qualifiziert mit den folgenden Ergebnissen:
– TA-Bereich des Geräts: –40 °C bis 125 °C
– Gerät HBM ESD-Klassifizierung Stufe H1C
– Gerät CDM ESD-Klassifizierung Stufe C4A
• Hohe Genauigkeit: maximal 0,2 %
• Hervorragende spezifizierte Driftleistung:
– 20 ppm/°C (maximal) von –40 °C bis +125 °C
• Hoher Ausgangsstrom: ±10 mA
• Geringer Dropout: 5 mV
• Niedriger IQ: maximal 115 μA
• Geringes Rauschen: 17 μVp-p/V
• Kein Ausgangskondensator erforderlich
• Verfügbare Spannungsoptionen : 1,2 V, 2 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V, 4 V
• MicroSize-Gehäuse: 3-poliger SOT-23
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