NTNS3A65PZT5G AUF
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NTNS3A65PZT5G AUF
• Einkanaliger P-Kanal-MOSFET
• SOT-883 (XDFN3) mit extrem niedrigem Profil 1,0 x 0,6 x 0,4 mm für extrem dünne Umgebungen, wie z. B. tragbare Elektronik
• Lösung mit niedrigem RDS(on) im ultrakleinen 1,0 x 0,6 mm Gehäuse
• 1,5 V Gate-Antrieb
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• Einkanaliger P-Kanal-MOSFET
• SOT-883 (XDFN3) mit extrem niedrigem Profil 1,0 x 0,6 x 0,4 mm für extrem dünne Umgebungen, wie z. B. tragbare Elektronik
• Lösung mit niedrigem RDS(on) im ultrakleinen 1,0 x 0,6 mm Gehäuse
• 1,5 V Gate-Antrieb
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
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