NTMFS4D2N10MDT1G AUF
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NTMFS4D2N10MDT1G AUF
• MOSFET-Technologie mit geschirmtem Gate
• Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Niedriger QRR, Soft-Recovery-Body-Diode
• Niedriges QOSS zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, berylliumfrei und RoHS-konform
• MOSFET-Technologie mit geschirmtem Gate
• Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Niedriger QRR, Soft-Recovery-Body-Diode
• Niedriges QOSS zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, berylliumfrei und RoHS-konform
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