NTD600N80S3Z AUF

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NTD600N80S3Z AUF

• Typ. RDS(ein) = 550 m
• Extrem niedrige Gate-Ladung (typ. qg = 15,5 nC)
• Geringe gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss = 1,74 J @ 400 V)
• 100% lawinengetestet
• ESD-verbesserte Leistungsfähigkeit mit Zenerdiode
• RoHS-konform
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