NCV1060BD100R2G AUF
| Verfügbar |
NCV1060BD100R2G AUF
• Eingebauter 670-V-MOSFET mit RDS(on) von 34 (NCV1060) und 11,4 (NCV1063)
• Große Kriechstrecke zwischen Hochspannungsstiften
• Betrieb mit fester Frequenz im Strommodus – 60 kHz oder 100 kHz
• Einstellbarer Spitzenstrom: siehe Tabelle unten
• Feste Rampenkompensation
• Direkter Rückkopplungsanschluss für nicht isolierten Wandler
• Interne und einstellbare Overpower-Protection-Schaltung (OPP)
• Skip-Cycle-Betrieb nur bei niedrigen Spitzenströmen
• Dynamische Selbstversorgung: keine Hilfswicklung erforderlich
• Interner 4 ms Soft-Start
• Kurzschlussschutz am Auto-Recovery-Ausgang mit Timer-basierter Erkennung
• Überspannungsschutz mit automatischer Wiederherstellung mit Hilfswicklung
• Frequenz-Jittering für eine bessere EMI-Signatur
• Kein Lasteingangsverbrauch < 50 mW
• Eingebauter 670-V-MOSFET mit RDS(on) von 34 (NCV1060) und 11,4 (NCV1063)
• Große Kriechstrecke zwischen Hochspannungsstiften
• Betrieb mit fester Frequenz im Strommodus – 60 kHz oder 100 kHz
• Einstellbarer Spitzenstrom: siehe Tabelle unten
• Feste Rampenkompensation
• Direkter Rückkopplungsanschluss für nicht isolierten Wandler
• Interne und einstellbare Overpower-Protection-Schaltung (OPP)
• Skip-Cycle-Betrieb nur bei niedrigen Spitzenströmen
• Dynamische Selbstversorgung: keine Hilfswicklung erforderlich
• Interner 4 ms Soft-Start
• Kurzschlussschutz am Auto-Recovery-Ausgang mit Timer-basierter Erkennung
• Überspannungsschutz mit automatischer Wiederherstellung mit Hilfswicklung
• Frequenz-Jittering für eine bessere EMI-Signatur
• Kein Lasteingangsverbrauch < 50 mW
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