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NCP81253MNTBG AUF

• Platzsparendes 2 mm x 2 mm DFN8 thermisch verbessertes Gehäuse
• VCC-Bereich von 4,5 V bis 5,5 V
• Interne Bootstrap-Diode
• 5 V 3-stufiger PWM-Eingang
• Diodenbremsfähigkeit über EN-Mittelzustand
• Adaptiver Anti-Cross-Conduction-Circuit schützt vor Querleitung beim Ein- und Ausschalten des FET
• Output Disable Control schaltet beide MOSFETs über den Enable-Pin aus
• VCC-Unterspannungs-Sperre
• Diese Bausteine sind Pb-frei, halogenfrei/BFR−frei und RoHS−konform
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