NCP4318ALSDR2G AUF
| Verfügbar |
NCP4318ALSDR2G AUF
• SR-Abschaltsteuerung im gemischten Modus
• Anti-Shoot-Through-Steuerung für zuverlässigen SR-Betrieb
• 200 V Nenn-Abflussmessung und dedizierte Quellenmessstifte
• Erweiterte adaptive Totzeitregelung
• Erkennung von SR-Strominversionen
• Adaptive Mindesteinschaltzeit für Störfestigkeit
• Begrenzung der SR-Leitungszeiterhöhung
• Mehrstufige Abschaltschwelle
• Adaptive Gate-Spannung (10 V, 6 V)
• Niedriger Betriebsstrom (100 A) im grünen Modus
• Sanftanlauf mit 0 V / 6 V Gate-Ausgangsspannung
• Kurze Ein- und Ausschaltverzögerung (30 ns / 30 ns)
• Hoher Gate-Sourcing- und Sinkstrom (1,5 A / 4,5 A)
• Großer Betriebsspannungsbereich von 6,5 V bis 35 V
• Großer Betriebsfrequenzbereich (22 kHz bis 500 kHz)
• SOIC−8 und SOIC−8 EP-Gehäuse
• Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
• SR-Abschaltsteuerung im gemischten Modus
• Anti-Shoot-Through-Steuerung für zuverlässigen SR-Betrieb
• 200 V Nenn-Abflussmessung und dedizierte Quellenmessstifte
• Erweiterte adaptive Totzeitregelung
• Erkennung von SR-Strominversionen
• Adaptive Mindesteinschaltzeit für Störfestigkeit
• Begrenzung der SR-Leitungszeiterhöhung
• Mehrstufige Abschaltschwelle
• Adaptive Gate-Spannung (10 V, 6 V)
• Niedriger Betriebsstrom (100 A) im grünen Modus
• Sanftanlauf mit 0 V / 6 V Gate-Ausgangsspannung
• Kurze Ein- und Ausschaltverzögerung (30 ns / 30 ns)
• Hoher Gate-Sourcing- und Sinkstrom (1,5 A / 4,5 A)
• Großer Betriebsspannungsbereich von 6,5 V bis 35 V
• Großer Betriebsfrequenzbereich (22 kHz bis 500 kHz)
• SOIC−8 und SOIC−8 EP-Gehäuse
• Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
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