NCP1380DDR2G AUF
| Verfügbar |
NCP1380DDR2G AUF
• Betrieb mit quasi-resonantem Spitzenstrom
• Valley-Schaltbetrieb mit Valley-Lockout für geräuschunabhängigen Betrieb
• Frequenz-Foldback bei geringer Last zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last
• Einstellbarer Überstromschutz
• Kurzschlussschutz für Auto-Recovery oder verriegelten internen Ausgang
• Interner 80-ms-Timer für Kurzschlussschutz behoben
• Kombinierter Überspannungs- und Übertemperaturschutz (Versionen A und B)
• Kombinierter Überspannungsschutz und Brown-Out (C- und D-Versionen)
• +500 mA/-800 mA Spitzenstrom Quellen-/Senkekapazität
• Interne Temperaturabschaltung
• Direkter Optokoppler-Anschluss
• Betrieb mit erweitertem VCC-Bereich bis zu 28 V
• Extrem geringer Leerlauf-Standby-Strom
• SO−8-Gehäuse
• Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
• Betrieb mit quasi-resonantem Spitzenstrom
• Valley-Schaltbetrieb mit Valley-Lockout für geräuschunabhängigen Betrieb
• Frequenz-Foldback bei geringer Last zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last
• Einstellbarer Überstromschutz
• Kurzschlussschutz für Auto-Recovery oder verriegelten internen Ausgang
• Interner 80-ms-Timer für Kurzschlussschutz behoben
• Kombinierter Überspannungs- und Übertemperaturschutz (Versionen A und B)
• Kombinierter Überspannungsschutz und Brown-Out (C- und D-Versionen)
• +500 mA/-800 mA Spitzenstrom Quellen-/Senkekapazität
• Interne Temperaturabschaltung
• Direkter Optokoppler-Anschluss
• Betrieb mit erweitertem VCC-Bereich bis zu 28 V
• Extrem geringer Leerlauf-Standby-Strom
• SO−8-Gehäuse
• Diese Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform
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