MMBZ5222BLT1G AUF
| Verfügbar |
MMBZ5222BLT1G AUF
• 225 mW Nennleistung auf FR−4- oder FR−5-Platine
• Zenerspannungsbereich – 2,4 V bis 91 V
• Gehäuse für eine optimale automatisierte Leiterplattenbestückung
• Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte
• ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 KV) pro Modell des menschlichen Körpers
• SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• 225 mW Nennleistung auf FR−4- oder FR−5-Platine
• Zenerspannungsbereich – 2,4 V bis 91 V
• Gehäuse für eine optimale automatisierte Leiterplattenbestückung
• Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte
• ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 KV) pro Modell des menschlichen Körpers
• SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
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