MMBZ5221BLT1G AUF
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MMBZ5221BLT1G AUF
Merkmale • 225 mW Nennleistung auf FR4- oder FR5-Platine • Zenerspannungsbereich -2,4 V bis 91 V • Gehäuse für optimale automatisierte Leiterplattenbestückung • Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte • ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 kV) pro menschlichem Körpermodell • SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig • Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
Merkmale • 225 mW Nennleistung auf FR4- oder FR5-Platine • Zenerspannungsbereich -2,4 V bis 91 V • Gehäuse für optimale automatisierte Leiterplattenbestückung • Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte • ESD-Einstufung der Klasse 3 (> 16 kV) pro menschlichem Körpermodell • SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Anforderungen an Standort- und Steuerungsänderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig • Diese Bausteine sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
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