MasterGaN1 ST

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Produktdetails
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MasterGaN1 ST
 
  • 600-V-System-in-Package mit Halbbrücken-Gate-Treiber und Hochspannungs-GaN-Transistoren:
    • QFN 9 x 9 x 1 mm Gehäuse
    • RDS(EIN)= 150 mΩ
    • IchDS(MAX)= 10 A
  • Rückwärtsstromfähigkeit
  • Kein Reverse-Recovery-Verlust
  • UVLO-Schutz auf Low-Side und High-Side
  • Interne Bootstrap-Diode
  • Verriegelungsfunktion
  • Dedizierter Pin für die Abschaltfunktion
  • Genaue interne Timing-Übereinstimmung
  • 3,3 V bis 15 V kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-Down
  • Schutz vor Übertemperatur
  • Reduzierung von Stücklisten
  • Sehr kompaktes und vereinfachtes Layout
  • Flexibles, einfaches und schnelles Design.


 
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