M95640-DRDW3TP/K ST
| Verfügbar |
M95640-DRDW3TP/K ST
• Kompatibel mit dem SPI-Bus (Serial Peripheral Interface)
• Speicher-Array
– 64 Kbit (8 KByte) EEPROM
– Seitengröße: 32 Byte
– Schreibschutz durch Block: 1/4, 1/2 oder ganzer Speicher
– Zusätzliche schreibsperrbare Seite (Identifikationsseite)
• Erweiterte Temperatur- und Spannungsbereiche
– Bis zu 125 °C (VCC von 1,7 V bis 5,5 V)
– Bis zu 145 °C (VCC von 2,5 V bis 5,5 V)
• Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz
– 20 MHz für VCC ≥ 4,5 V
– 10 MHz für VCC ≥ 2,5 V
– 5 MHz für VCC ≥ 1,7 V
• Schmitt-Trigger-Eingänge für die Rauschfilterung
• Kurze Schreibzykluszeit
– Byte Schreiben innerhalb von 4 ms
– Page Write innerhalb von 4 ms
• Ausdauer des Schreibzyklus
– 4 Millionen Schreibzyklen bei 25 °C
– 1,2 Millionen Schreibzyklen bei 85 °C
– 600 k Schreibzyklen bei 125 °C
– 400 k Schreibzyklen bei 145 °C
• Vorratsdatenspeicherung
– 50 Jahre bei 125 °C
– 100 Jahre bei 25 °C
• ESD-Schutz (Modell des menschlichen Körpers)
– 4000 V
•Pakete
– RoHS-konform und halogenfrei (ECOPACK2®)
• Kompatibel mit dem SPI-Bus (Serial Peripheral Interface)
• Speicher-Array
– 64 Kbit (8 KByte) EEPROM
– Seitengröße: 32 Byte
– Schreibschutz durch Block: 1/4, 1/2 oder ganzer Speicher
– Zusätzliche schreibsperrbare Seite (Identifikationsseite)
• Erweiterte Temperatur- und Spannungsbereiche
– Bis zu 125 °C (VCC von 1,7 V bis 5,5 V)
– Bis zu 145 °C (VCC von 2,5 V bis 5,5 V)
• Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz
– 20 MHz für VCC ≥ 4,5 V
– 10 MHz für VCC ≥ 2,5 V
– 5 MHz für VCC ≥ 1,7 V
• Schmitt-Trigger-Eingänge für die Rauschfilterung
• Kurze Schreibzykluszeit
– Byte Schreiben innerhalb von 4 ms
– Page Write innerhalb von 4 ms
• Ausdauer des Schreibzyklus
– 4 Millionen Schreibzyklen bei 25 °C
– 1,2 Millionen Schreibzyklen bei 85 °C
– 600 k Schreibzyklen bei 125 °C
– 400 k Schreibzyklen bei 145 °C
• Vorratsdatenspeicherung
– 50 Jahre bei 125 °C
– 100 Jahre bei 25 °C
• ESD-Schutz (Modell des menschlichen Körpers)
– 4000 V
•Pakete
– RoHS-konform und halogenfrei (ECOPACK2®)
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