M24C02-RMN6TP ST
Verfügbar
M24C02-RMN6TP ST
• Kompatibel mit folgenden I2C-Bus-Modi:
– 400 kHz
– 100 kHz
• Speicher-Array:
– 1 Kbit (128 Byte) EEPROM
– 2 Kbit (256 Byte) EEPROM
– Seitengröße: 16 Byte
• Einzelne Versorgungsspannung:
– M24C01/02-W: 2,5 V bis 5,5 V
– M24C01/02-R: 1,8 V bis 5,5 V
– M24C02-F: 1,7 V bis 5,5 V, 1,6 V bis 5,5 V (unter Temperaturbeschränkung)
•Schreiben:
– Byte-Schreibvorgang innerhalb von 5 ms
– Seitenschreibvorgang innerhalb von 5 ms
• Betriebstemperaturbereich:
– von -40 °C bis +85 °C
• Zufällige und sequenzielle Lesemodi
• Schreibschutz des gesamten Speicher-Arrays
• Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
• Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen
• Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
• Kompatibel mit folgenden I2C-Bus-Modi:
– 400 kHz
– 100 kHz
• Speicher-Array:
– 1 Kbit (128 Byte) EEPROM
– 2 Kbit (256 Byte) EEPROM
– Seitengröße: 16 Byte
• Einzelne Versorgungsspannung:
– M24C01/02-W: 2,5 V bis 5,5 V
– M24C01/02-R: 1,8 V bis 5,5 V
– M24C02-F: 1,7 V bis 5,5 V, 1,6 V bis 5,5 V (unter Temperaturbeschränkung)
•Schreiben:
– Byte-Schreibvorgang innerhalb von 5 ms
– Seitenschreibvorgang innerhalb von 5 ms
• Betriebstemperaturbereich:
– von -40 °C bis +85 °C
• Zufällige und sequenzielle Lesemodi
• Schreibschutz des gesamten Speicher-Arrays
• Verbesserter ESD-/Latch-Up-Schutz
• Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen
• Mehr als 200 Jahre Datenspeicherung
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