LTC4357IMS8#TRPBF ADI
Verfügbar
LTC4357IMS8#TRPBF ADI
n Reduziert die Verlustleistung durch Ersetzen einer Leistungs-Schottky-Diode durch einen N-Kanal-MOSFET
n 0,5 μs Abschaltzeiten begrenzen den Spitzenfehlerstrom
n Großer Betriebsspannungsbereich: 9 V bis 80 V
n Sanftes Umschalten ohne Oszillation
n Kein Gleichstromsperre
n Erhältlich in 6-poligen (2 mm × 3 mm) DFN- und 8-poligen MSOP-Gehäusen
n Reduziert die Verlustleistung durch Ersetzen einer Leistungs-Schottky-Diode durch einen N-Kanal-MOSFET
n 0,5 μs Abschaltzeiten begrenzen den Spitzenfehlerstrom
n Großer Betriebsspannungsbereich: 9 V bis 80 V
n Sanftes Umschalten ohne Oszillation
n Kein Gleichstromsperre
n Erhältlich in 6-poligen (2 mm × 3 mm) DFN- und 8-poligen MSOP-Gehäusen
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