LM74610QDGKRQ1 TI

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LM74610QDGKRQ1 TI

• Qualifiziert für Automobilanwendungen
• AEC-Q100-qualifiziert mit den folgenden Ergebnissen: – Übertrifft HBM ESD-Klassifizierungsstufe 2 – Device CDM ESD-Klassifizierungsstufe C4B
• Maximale Sperrspannung von 45 V
• Keine Begrenzung der positiven Spannung an der Anodenklemme
• Charge Pump Gate Treiber für externen N-Kanal MOSFET
• Geringere Verlustleistung als Schottky-Dioden-/PFET-Lösungen
• Geringer Sperrableitstrom
• Null IQ
• Schnelle Reaktion von 2 μs auf Verpolung
• Umgebungstemperatur von -40 °C bis +125 °C
• Kann in OR-ing-Anwendungen eingesetzt werden
• Erfüllt CISPR25 EMI-Spezifikation
• Erfüllt die Anforderungen an Transienten in der Automobilindustrie ISO7637 mit einer geeigneten TVS-Diode
• Keine Begrenzung des Spitzenstroms
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