LM5050Q1MK-1/NOPB TI • Erhältlich in den Standard- und AEC-Q100-qualifizierten Versionen LM5050Q0MK-1 (bis zu 150 °C TJ) und LM5050Q1MK-1 (bis zu 125 °C TJ) • Funktionale Sicherheit möglich – Dokumentation zur Unterstützung des Designs des funktionalen Sicherheitssystems verfügbar • Großer Betriebseingangsspannungsbereich, VIN: 1 V bis 75 V (VBIAS erforderlich für VIN < 5 V) • 100-V Transient Capability • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel MOSFET • Fast 50-ns Response to Current Reversal • 2-A Peak Gate Turnoff Current • Minimum VDS Clamp for Faster Turnoff • Package: SOT-6 (Thin SOT-23-6)The LM5050-1/-Q1 High Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This ORing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops. The LM5050-1/-Q1 controller provides charge pump gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5050-1/- Q1 can connect power supplies ranging from 5 V to 75 V and can withstand transients up to 100 V.