LM393DT ST

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LM393DT ST


• Großer Spannungsbereich mit einer Versorgung oder zwei Versorgungen: 2 V bis 36 V oder ±1 V bis ±18 V
• Sehr niedriger Versorgungsstrom (0,45 mA) unabhängig von der Versorgungsspannung (1 mW/ Komparator bei 5 V)
• Niedriger Eingangs-Bias-Strom: 20 nA typ.
• Niedriger Eingangs-Offset-Strom: ±3 nA typ.
• Niedrige Eingangs-Offset-Spannung: ±1 mV typ.
• Der Gleichtaktspannungsbereich des Eingangs umfasst Masse
• Niedrige Ausgangssättigungsspannung: 80 mV typ. (Isink = 4 mA)
• Differenzieller Eingangsspannungsbereich gleich der Versorgungsspannung
• TTL-, DTL-, ECL-, MOS- und CMOS-kompatible Ausgänge
• Erhältlich in DFN8 2x2-, MiniSO8-, TSSOP8- und SO8-Gehäusen
• LM393W mit internem ESD-Schutz: 2 kV HBM
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