LM2903QDRQ1 TI
| Verfügbar |
LM2903QDRQ1 TI
• Qualifiziert für Automobilanwendungen
• AEC-Q100-qualifiziert mit den folgenden Ergebnissen:
– Gerätetemperatur Klasse 0:
Umgebungstemperaturbereich von –40 °C bis 150 °C (LM2903E-Q1)
– Gerätetemperatur Klasse 1:
Betriebstemperaturbereich von –40 °C bis 125 °C
– Gerät HBM ESD-Klassifizierungsstufe H1C
– Gerät CDM ESD-Klassifizierungsstufe C4B
• Verbessertes 2 kV HBM ESD für "B"-Baustein
• Tri-Temp-Prüfung für "B"-Gerät verfügbar
• Einzelversorgung oder doppelte Versorgung
• Niedriger Versorgungsstrom unabhängig von der Versorgungsspannung 200 uA typisch pro Komparator ("B"-Versionen)
• Niedriger Eingangs-Bias-Strom 3,5 nA typisch ("B"-Baustein)
• Niedriger Eingangs-Offset-Strom 0,5 nA typ ("B"-Baustein)
• Niedrige Eingangs-Offset-Spannung ±0,37 mV typ ("B"-Baustein)
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich einschließlich Masse
• Differenzieller Eingangsspannungsbereich gleich der maximalen Nennversorgungsspannung ±36 V
• Ausgang kompatibel mit TTL, MOS und CMOS
• Qualifiziert für Automobilanwendungen
• AEC-Q100-qualifiziert mit den folgenden Ergebnissen:
– Gerätetemperatur Klasse 0:
Umgebungstemperaturbereich von –40 °C bis 150 °C (LM2903E-Q1)
– Gerätetemperatur Klasse 1:
Betriebstemperaturbereich von –40 °C bis 125 °C
– Gerät HBM ESD-Klassifizierungsstufe H1C
– Gerät CDM ESD-Klassifizierungsstufe C4B
• Verbessertes 2 kV HBM ESD für "B"-Baustein
• Tri-Temp-Prüfung für "B"-Gerät verfügbar
• Einzelversorgung oder doppelte Versorgung
• Niedriger Versorgungsstrom unabhängig von der Versorgungsspannung 200 uA typisch pro Komparator ("B"-Versionen)
• Niedriger Eingangs-Bias-Strom 3,5 nA typisch ("B"-Baustein)
• Niedriger Eingangs-Offset-Strom 0,5 nA typ ("B"-Baustein)
• Niedrige Eingangs-Offset-Spannung ±0,37 mV typ ("B"-Baustein)
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich einschließlich Masse
• Differenzieller Eingangsspannungsbereich gleich der maximalen Nennversorgungsspannung ±36 V
• Ausgang kompatibel mit TTL, MOS und CMOS
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