IPL65R230C7 INFINEON
Verfügbar
IPL65R230C7 INFINEON
•Erhöhte MOSFETdv/dtRobustheit
•Besserer Wirkungsgrad durch Bestin-ClassFOMRDS(ein)*EossandRDS(ein)*Qg
•Dünnes PAKSMD-Gerät mit sehr niedriger parasitärer Induktivität, um schnelles und zuverlässiges Schalten mit minimaler Größe zu ermöglichen, um die Leistungsdichte zu erhöhen •Einfach zu bedienen/anzutreiben aufgrund des Treiberquellenpins für eine bessere Steuerung des Gates.
•Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
•Qualifiziert für Anwendungen in industrieller Qualität gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
•Erhöhte MOSFETdv/dtRobustheit
•Besserer Wirkungsgrad durch Bestin-ClassFOMRDS(ein)*EossandRDS(ein)*Qg
•Dünnes PAKSMD-Gerät mit sehr niedriger parasitärer Induktivität, um schnelles und zuverlässiges Schalten mit minimaler Größe zu ermöglichen, um die Leistungsdichte zu erhöhen •Einfach zu bedienen/anzutreiben aufgrund des Treiberquellenpins für eine bessere Steuerung des Gates.
•Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
•Qualifiziert für Anwendungen in industrieller Qualität gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
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