IMW120R090M1H Infineon
Verfügbar
IMW120R090M1H Infineon
Sehr geringe Schaltverluste
Schwellenwertfrei bei Zustandskennlinie
Großer Gate-Source-Spannungsbereich
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
0 V Abschalt-Gate-Spannung für eine einfache und unkomplizierte Gate-Ansteuerung
Vollständig steuerbar dV/dt
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Sehr geringe Schaltverluste
Schwellenwertfrei bei Zustandskennlinie
Großer Gate-Source-Spannungsbereich
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V
0 V Abschalt-Gate-Spannung für eine einfache und unkomplizierte Gate-Ansteuerung
Vollständig steuerbar dV/dt
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
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