IMBG65R107M1H Infineon
Verfügbar
IMBG65R107M1H Infineon
•Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
•KommutierungrobustFastBodydiodewithlowQf
•Überlegene Gateoxid-Zuverlässigkeit
•Tj, max = 175 ° C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
•Niedrigere Abhängigkeit von RDS(on) und Impulsstrom in Abhängigkeit von der Temperatur
•Erhöhte Lawinenfähigkeit
•Kompatibel mit Standardtreibern (empfohlene Fahrspannung: 0V-18V)
•Kelvinquelle bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
•Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
•KommutierungrobustFastBodydiodewithlowQf
•Überlegene Gateoxid-Zuverlässigkeit
•Tj, max = 175 ° C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
•Niedrigere Abhängigkeit von RDS(on) und Impulsstrom in Abhängigkeit von der Temperatur
•Erhöhte Lawinenfähigkeit
•Kompatibel mit Standardtreibern (empfohlene Fahrspannung: 0V-18V)
•Kelvinquelle bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
Bitte stellen Sie sicher, dass Ihre Kontaktinformationen korrekt sind. Dein Nachricht wird direkt an den/die Empfänger gesendet werden und öffentlich ausgestellt werden. Wir werden Ihre niemals vertreiben oder verkaufen persönlich Information an Dritte ohne Ihre ausdrückliche Erlaubnis.