IMBG65R048M1H INFINEON
Verfügbar
IMBG65R048M1H INFINEON
•Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
•KommutierungrobustFastBodydiodewithlowQf
•Überlegene Gateoxid-Zuverlässigkeit
•Tj, max = 175 ° C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
•Niedrigere Abhängigkeit von RDS(on) und Impulsstrom in Abhängigkeit von der Temperatur
•Erhöhte Lawinenfähigkeit
•Kompatibel mit Standardtreibern (empfohlene Fahrspannung: 0V-18V)
•Kelvinquelle bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
•Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
•KommutierungrobustFastBodydiodewithlowQf
•Überlegene Gateoxid-Zuverlässigkeit
•Tj, max = 175 ° C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
•Niedrigere Abhängigkeit von RDS(on) und Impulsstrom in Abhängigkeit von der Temperatur
•Erhöhte Lawinenfähigkeit
•Kompatibel mit Standardtreibern (empfohlene Fahrspannung: 0V-18V)
•Kelvinquelle bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
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