IDH02G65C5 INFINEON
Verfügbar
IDH02G65C5 INFINEON
Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid
Benchmark-Schaltverhalten
Kein Reverse Recovery/ Kein Forward Recovery
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Hohe Stoßstromfähigkeit
Bleifreie Bleibeschichtung; RoHS-konform
Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen
Durchbruchspannung geprüft bei 4,5 mA2)
Optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen
Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid
Benchmark-Schaltverhalten
Kein Reverse Recovery/ Kein Forward Recovery
Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
Hohe Stoßstromfähigkeit
Bleifreie Bleibeschichtung; RoHS-konform
Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen
Durchbruchspannung geprüft bei 4,5 mA2)
Optimiert für den Betrieb bei hohen Temperaturen
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