FQD8P10TM-F085 EIN
Verfügbar |
FQD8P10TM-F085 EIN
• -6,6 A, -100 V, RDS(ein) = 0,53 Ω @VGS = -10 V
• Niedrige Gate-Ladung (typisch 12 nC)
• Niedriger Crss (typisch 30 pF)
• Schnelles Schalten
• 100% lawinengetestet
• Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
• -6,6 A, -100 V, RDS(ein) = 0,53 Ω @VGS = -10 V
• Niedrige Gate-Ladung (typisch 12 nC)
• Niedriger Crss (typisch 30 pF)
• Schnelles Schalten
• 100% lawinengetestet
• Verbesserte dv/dt-Fähigkeit
Bitte stellen Sie sicher, dass Ihre Kontaktinformationen korrekt sind. Dein Nachricht wird direkt an den/die Empfänger gesendet werden und öffentlich ausgestellt werden. Wir werden Ihre niemals vertreiben oder verkaufen persönlich Information an Dritte ohne Ihre ausdrückliche Erlaubnis.