FOD8342 AUF
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FOD8342 AUF
Merkmale • FOD8342T -8 mm Kriech- und Luftstrecke und 0,4 mm Isolationsabstand für eine zuverlässige Hochspannungsisolierung • 3,0 A Spitzenausgangsstrom Antriebsfähigkeit für IGBT/MOSFETs ♦ mittlerer Leistung Die Verwendung von P-Kanal-MOSFETs in der Ausgangsstufe ermöglicht einen Schwenk der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene • Minimale Gleichtaktunterdrückung von 20 kV/s • Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V • Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich ♦ 210 ns Maximale Laufzeitverzögerung ♦ 65 ns Maximale Pulsweitenverzerrung • Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese • Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C • Sicherheits- und behördliche Zulassungen: ♦ UL1577, 5.000 VRMS für 1 Minute ♦ DIN EN/IEC60747-5-5-5, 1.140 V Spitzen-Betriebsisolationsspannung
Merkmale • FOD8342T -8 mm Kriech- und Luftstrecke und 0,4 mm Isolationsabstand für eine zuverlässige Hochspannungsisolierung • 3,0 A Spitzenausgangsstrom Antriebsfähigkeit für IGBT/MOSFETs ♦ mittlerer Leistung Die Verwendung von P-Kanal-MOSFETs in der Ausgangsstufe ermöglicht einen Schwenk der Ausgangsspannung nahe an der Versorgungsschiene • Minimale Gleichtaktunterdrückung von 20 kV/s • Großer Versorgungsspannungsbereich: 10 V bis 30 V • Schnelle Schaltgeschwindigkeit über den gesamten Betriebstemperaturbereich ♦ 210 ns Maximale Laufzeitverzögerung ♦ 65 ns Maximale Pulsweitenverzerrung • Unterspannungsabschaltung (UVLO) mit Hysterese • Erweiterter industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 100 °C • Sicherheits- und behördliche Zulassungen: ♦ UL1577, 5.000 VRMS für 1 Minute ♦ DIN EN/IEC60747-5-5-5, 1.140 V Spitzen-Betriebsisolationsspannung
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