FDMT800150DC AUF
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FDMT800150DC AUF
• Max. rDS(on) = 6,5 m bei VGS = 10 V, ID = 15 A
• Max. rDS(on) = 8,4 m bei VGS = 8 V, ID = 13 A
• Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrige rDS(on)
und hohe Effizienz
• Enhanced Body Dioden-Technologie der nächsten Generation, entwickelt
für Soft Recovery
• Niedriges Profil 8x8 mm MLP-Gehäuse
• Robustes MSL1-Gehäusedesign
• 100% UIL-getestet
• Dieses Gerät ist bleifrei, halogenidfrei und RoHS-konform
• Max. rDS(on) = 6,5 m bei VGS = 10 V, ID = 15 A
• Max. rDS(on) = 8,4 m bei VGS = 8 V, ID = 13 A
• Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrige rDS(on)
und hohe Effizienz
• Enhanced Body Dioden-Technologie der nächsten Generation, entwickelt
für Soft Recovery
• Niedriges Profil 8x8 mm MLP-Gehäuse
• Robustes MSL1-Gehäusedesign
• 100% UIL-getestet
• Dieses Gerät ist bleifrei, halogenidfrei und RoHS-konform
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