FDMS86300 AUF
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FDMS86300 AUF
- Max. rDS(on)= 3,9 mo bei Ves = 10 V, ID= 19 A
- Max 「Ds(on)= 5,5 m bei Ves = 8 V, ID=15,5A
- Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrige rDs(on) und hohen Wirkungsgrad
- Verbesserte Körperdiodentechnologie der nächsten Generation, entwickelt für sanfte Rückgewinnung
- Robustes MSL1-Gehäusedesign
- 100% UIL-geprüft
- RoHS-konform
- Max. rDS(on)= 3,9 mo bei Ves = 10 V, ID= 19 A
- Max 「Ds(on)= 5,5 m bei Ves = 8 V, ID=15,5A
- Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrige rDs(on) und hohen Wirkungsgrad
- Verbesserte Körperdiodentechnologie der nächsten Generation, entwickelt für sanfte Rückgewinnung
- Robustes MSL1-Gehäusedesign
- 100% UIL-geprüft
- RoHS-konform
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