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• Max. RDS(ein) = 90 m bei VGS = 10 V, ID = 3,4 A
• Max. RDS(ein) = 125 m bei VGS = 6 V, ID = 2,9 A
• Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrigen RDS(on)
und hohe Effizienz
• 100% UIL-getestet
• Bleifrei, halogenidfrei und RoHS-konform

 
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