FDMA905P AUF
| Verfügbar |
FDMA905P AUF
Max. rDS(on) = 16 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -10 A
Max. rDS(on) = 21 mΩ bei VGS = -2,5 V, ID = -8,9 A
Max. rDS(on) = 82 mΩ bei VGS = -1,8 V, ID = -4,5 A
Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2X2 mm
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
RoHS-konform
Max. rDS(on) = 16 mΩ bei VGS = -4,5 V, ID = -10 A
Max. rDS(on) = 21 mΩ bei VGS = -2,5 V, ID = -8,9 A
Max. rDS(on) = 82 mΩ bei VGS = -1,8 V, ID = -4,5 A
Niedriges Profil - maximal 0,8 mm - im neuen Gehäuse MicroFET 2X2 mm
Frei von halogenierten Verbindungen und Antimonoxiden
RoHS-konform
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