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Produktdetails
Anfrage
FDD86250 AUF
Funktionen
MOSFET-Technologie mit geschirmtem Gate
Max rDs(on)= 22 mo bei Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m bei Vcs = 6 V, lp=6,5A100% UIL getestet
RoHS-konform
Allgemeine Beschreibung
Dieser N-Kanal-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench-Prozesses von Fairchild Semiconductors hergestellt, der die Shielded-Gate-Technologie enthält. Dieser Prozess wurde für den Einschaltwiderstand optimiert und bietet dennoch eine überlegene Schaltleistung.
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