BAS516,115 NXP
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BAS516,115 NXP
Allgemeine Beschreibung Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode, gekapselt in einem ultrakleinen und flachen SOD523 (SC-79) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface Mounted Device). 2. Merkmale und Vorteile • Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns • Niedrige Kapazität • Geringer Ableitstrom • Sperrspannung: VR ≤ 100 V • Kleines SMD-Kunststoffgehäuse • Wiederholte Spitzensperrspannung: VRRM ≤ 100 V 3. Anwendungen • Hochgeschwindigkeits-Schalten • Universelles Schalten
Allgemeine Beschreibung Hochgeschwindigkeits-Schaltdiode, gekapselt in einem ultrakleinen und flachen SOD523 (SC-79) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface Mounted Device). 2. Merkmale und Vorteile • Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 ns • Niedrige Kapazität • Geringer Ableitstrom • Sperrspannung: VR ≤ 100 V • Kleines SMD-Kunststoffgehäuse • Wiederholte Spitzensperrspannung: VRRM ≤ 100 V 3. Anwendungen • Hochgeschwindigkeits-Schalten • Universelles Schalten
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